Micro LED Breakthrough, Lattice Power lanza el sustrato de silicio basado en InGaN Triple Color Epitaxy

Recientemente, Lattice Power publicó los resultados de la serie roja, verde y azul basada en InGaN de tres colores primarios tecnología epitaxial Micro LED en un sustrato de silicio de 12 pulgadas.

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Se informa que Lattice Power se fundó en 2006 y es un proveedor de productos optoelectrónicos de semiconductores IDM de cadena industrial completa con tecnología de núcleo de chip subyacente. Proporciona fuentes de luz LED de alta calidad (epitaxial, Chip, embalaje y módulo) y productos de sensores de detección y soluciones para clientes globales.

Basado en casi 20 años de tecnología LED basada en GaN de sustrato de silicio y acumulación industrial, Crystal Energy Optoelectronics lanzó el sustrato de silicio de 8 pulgadas InGaN tecnología epitaxial de luz roja ya en 2020. Actualmente, todavía está investigando y desarrollando continuamente para mejorar la eficiencia de la luz roja de InGaN.
En Septiembre de 2021, Crystal Energy Optoelectronics preparó con éxito una matriz de micro LED rojo, verde y azul de sustrato de silicio InGaN con un espaciado de píxeles de 25 micrones y una densidad de píxeles de 1000PPI. En la actualidad, el importante indicador técnico de espaciado de píxeles se ha reducido a 8 micrómetros.

En 2022, Crystal Energy Optoelectronics rompió la tecnología clave de la epitaxia tricolor Micro LED basada en InGaN en sustratos de silicio de 8 pulgadas y preparó con éxito matrices tricolor Micro LED de paso de 5 micrones, expandiéndose activamente a los mercados emergentes.

Lattice Power declaró que, impulsado por el costo y el rendimiento, la actualización a obleas de gran tamaño se ha convertido en una tendencia de Desarrollo definida en la industrialización de Micro LED, que también está en línea con la búsqueda de innovación continua de la compañía en el campo de la tecnología LED basada en GaN en sustratos de silicio. Las obleas de gran tamaño no solo pueden mejorar significativamente la tasa de utilización de las obleas epitaxiales Micro LED y los retroplanos CMOS, sino que también facilitan la compatibilidad con los dispositivos y procesos IC de silicio maduro, mejoran la eficiencia del proceso Micro LED, reducir los costos y acelerar el proceso comercial de la tecnología Micro LED.

Según el Dr. Fu Yi, vicepresidente de Lattice Power, el crecimiento epitaxial de Micro LED en sustratos de silicio de gran tamaño plantea desafíos más estrictos para el desarrollo de tecnologías clave como la calidad del cristal GaN, deformación epitaxial, eficiencia cuántica externa, consistencia fotoeléctrica y MQW rojo InGaN.
La liberación de la industrialización y la tecnología epitaxial de InGaN basado rojo, verde, y micro LED azules en un sustrato de silicio de 12 pulgadas indica que Jingneng Optoelectronics ha aprovechado sus capacidades innovadoras e iterativas en la tecnología LED basada en el sustrato de silicio GaN, y ha superado preliminarmente los desafíos técnicos clave mencionados anteriormente, Allanando el camino para la optimización y mejora de tecnologías y procesos posteriores.

Lattice Power declaró además que el lanzamiento de Vision Pro por parte de Apple este año ha traído una mayor popularidad a la industria global de AR/VR, pero Vision Pro no será el punto final. Las expectativas de las personas para la tecnología de visualización portátil liviana y eficiente son cada vez más entusiastas, lo que promoverá en gran medida la innovación y la aplicación de varias tecnologías de micro pantallas.

La ruta de proceso Micro LED basada en sustratos de silicio de gran tamaño tiene un gran potencial en términos de costo, rendimiento y eficiencia de la luz. y se espera que se convierta en la ruta de industrialización principal para Micro LED de nivel micrométrico. El avance en los tres colores primarios La tecnología epitaxial Micro LED de sustratos de silicio de 12 pulgadas promoverá efectivamente el desarrollo de la tecnología de pantalla Micro LED en esta dirección.